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 シリコン中性子ドーピング

 シリコン中性子ドーピングとは、シリコン単結晶に中性子を照射し、シリコン(Si)中のSi-30から生成されるSi-31がβ崩壊してP-31に変換することで、リン(P)をシリコン中に均一に添加(ドープ)する方法です。 研究炉から発生する中性子照射によって製造したシリコン半導体は、他の方法により製造した半導体よりも均一性が良いため、大電力用のサイリスタやパワートランジスタ、ダイオード等の製品に用いられています。 現在、日本原子力研究開発機構の研究炉JRR-4では、年間約0.5トンのシリコンを照射しています。


シリコン単結晶